【专利信息】氧化镓专利动态周报（9月-第十二期）：镓仁半导体、西电、云南宇泽等单位布局多项新技术

        国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请了一项名为“一种消除氧化镓晶体应力的方法及应用”的专利，申请公布号为CN122751360A，申请号为202611174694X。

        本发明涉及半导体材料领域，具体而言，涉及一种消除氧化镓晶体应力的方法及应用。所述的消除氧化镓晶体应力的方法，包括以下步骤：（a）将氧化镓晶体进行表面粗化处理和表面氧化物涂层处理；（b）在含有氧气的气氛中，将经过所述表面氧化物涂层处理的氧化镓晶体进行退火处理。该方法能够独立进行高温、高氧气氛退火，以彻底消除晶体内部的残余应力；将退火工序从生长炉中剥离，缩短生长炉占用周期并避免铱制品在退火阶段的额外损耗，从而允许在不计成本的前提下，保障充足的退火时间和最优的温场条件；在晶体进行机械加工之前，彻底消除其内部应力，从源头上根除加工过程中的开裂诱因，并确保初始衬底片获得优良的面型平整度参数。

        国家知识产权局信息显示，西安电子科技大学申请了一项名为“基于异质集成的环栅氧化镓场效应晶体管及其制备方法”的专利，申请公布号为CN122766018A，申请号为2026108262683。

        本发明涉及超宽禁带半导体器件与微纳制造技术领域，具体涉及一种基于异质集成的环栅氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该基于异质集成的环栅氧化镓场效应晶体管的制备方法包括：异质衬底；中间氧化铝层，位于所述异质衬底之上；氧化镓有源层，位于所述中间氧化铝层之上，并被图形化为源区、漏区以及连接所述源区和所述漏区的横向延伸的间隔设置的Fin型沟道区；栅介质层，位于所述Fin型沟道区外周，覆盖所述Fin型沟道区的顶面、四个侧壁面和底面；栅金属层，位于所述栅介质层外侧，与栅介质层对应地环绕设置于Fin型沟道区外围，构成环栅结构；源电极和漏电极，与所述源区和漏区电连接。

        国家知识产权局信息显示，云南宇泽新能源股份有限公司申请了一项名为“一种复合陶瓷连续加料生长氧化镓单晶制备装置”的专利，申请公布号为CN122773474A，申请号为2026110122084。

        本发明公开了一种复合陶瓷连续加料生长氧化镓单晶制备装置，涉及氧化镓单晶直拉生长装备技术领域，该装置在主生长室内设置由耐蚀内层、热缓冲中层和导电发热外层构成的复合陶瓷梯度坩埚，两组感应线圈环绕导电发热外层并与其非接触耦合发热；连续补料副室经气氛平衡后通过中拨片向伸缩式导料管送料，导料管补料时伸入主生长室并朝向坩埚内周边缘区域且不穿设坩埚，补料完成后能够完全抽出炉体并由侧壁孔盖封闭开孔。该装置有利于在取晶后保持主生长室密封、保温和气氛平衡，并减少补料结束后的炉体热量流失，为氧化镓单晶接续直拉生长提供条件。

        国家知识产权局信息显示，电子科技大学申请了一项名为“一种新型金刚石超结场效应晶体管功率器件”的专利，申请公布号为CN122784137A，申请号为202610961108X。

        本发明属于半导体技术领域，具体提供一种新型金刚石超结场效应晶体管功率器件，在横向金刚石功率器件的基础上引入N型掺杂氧化镓区或N型掺杂氮化铝区，使得器件在保持相同漂移区长度的条件下，大幅提高沟道区的可控掺杂浓度，从而在显著提升横向场效应功率晶体管阻断电压的同时，有效降低其比导通电阻，最终有效提升器件的整体性能。综上，对于本发明提出的所有新型结构金刚石（Diamond）场效应晶体管功率器件，均具备高耐压与低比导通电阻特性，并且，能够在漂移区掺杂浓度更高的条件下，有效提升横向场效应功率晶体管的耐压能力。

        国家知识产权局信息显示，秦皇岛星箭特种玻璃有限公司申请了一项名为“低轨道航天器用耐冷热冲击玻璃及其制备方法和应用”的专利，申请公布号为CN122771614A，申请号为2026112314939。

        本发明涉及玻璃技术领域，提出了低轨道航天器用耐冷热冲击玻璃及其制备方法和应用。低轨道航天器用耐冷热冲击玻璃，包括以下重量份的原料：石英砂、磷酸二氢铵、硼酸、碳酸盐、氧化锌、二氧化铈、氧化镓、氧化铟、五氧化二钒、氧化铅、三氧化二锑、硝酸钠、钛酸四丁酯、煤油；氧化锌和硼酸的总质量与石英砂的质量比为1:1.45~1.55。通过上述技术方案，解决了相关技术中低轨道航天器用厚度大于30mm的玻璃耐空间环境的冷热冲击性不足的问题。