【器件论文】带光介电场板的 2.7 kV Ga₂O₃ 垂直肖特基势垒二极管

        由美国北卡罗来纳大学夏洛特分校的研究团队在学术期刊 IEEE Transactions on Electron Devices 发布了一篇名为 2.7-kV Ga₂O₃ Vertical Schottky Barrier Diode With Photo-Dielectric Field-Plate（带光介电场板的 2.7 kV Ga₂O₃ 垂直肖特基势垒二极管）的文章。

摘要

        在本文中，该团队报告了一项关于氧化镓（Ga₂O₃）肖特基势垒二极管（SBD）的系统实验研究，该研究采用了一种新型光介质（PD）场板（FP）工艺，该工艺具有显著简化的制造程序，能够生产出与化学气相沉积场板二极管相媲美的高性能二极管。该团队研究了不同场板介质厚度和设计对单场板和双场板二极管的影响。双场板二极管的导通电阻（R_on,sp）为 7.5 mΩ·cm²，击穿电压（V_br）为 2.78 kV，功率品质因数（PFOM）为 1.04 GW/cm²，且无需任何衬底蚀刻或异质集成。通过比较在两种介质液体浸没条件下测得的击穿电压（V_br），该团队研究了液体封装效应，结果表明，这些实验中观察到的最高 V_br 很可能是由外部因素和封装限制引起的。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/TED.2026.3715153