【器件论文】无需平坦化及中带隙受主阻挡层的垂直结构 β-Ga₂O₃ 隔离源电极场效应晶体管（ISEFET）

        由俄亥俄州立大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Express 发布了一篇名为 Vertical β-Ga₂O₃ isolated source electrode field effect transistors (ISEFET) without planarization or mid-gap acceptor blocking layers（无需平坦化及中带隙受主阻挡层的垂直结构 β-Ga₂O₃ 隔离源电极场效应晶体管（ISEFET））的文章。

摘要

        该团队提出并展示了一种垂直 β-Ga₂O₃ 晶体管架构，该架构无需使用平面化回蚀或间隙中间受主区。隔离源电极场效应晶体管（ISEFET）采用介电流阻层，以接入从顶部鳍片金属延伸出的隔离源极焊盘。所制造的器件为增强型，阈值电压为 2 V，开关比 >10⁷，并具有优异的栅极调制特性。ISEFET 被证明适用于未来氧化镓和其他宽带隙半导体器件的快速原型设计和大规模制造。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1882-0786/ae9de7