【会员新闻】镓仁半导体入选“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜
日期:2026-10-09阅读:174
近日,“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜正式揭晓。本次征集以“‘十五五’AI协同新范式”为主题,组委会汇聚产业、科研、资本领域专家,经过材料初审、专家联审、落地核验、综合评议等多轮严格筛选,从技术创新、落地成效、产业贡献、社会价值等维度综合考评,最终遴选出50家标杆企业及典范案例。杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)凭借“多智能体协同铸造长晶”案例成功入选,与华为、中车等各领域领军企业一同入选。

图1 镓仁半导体获奖证书

图2 2026人工智能创新应用TOP50典范案例榜单(部分)
此次获奖的核心,是镓仁半导体将AI技术与自主研发的铸造法长晶工艺深度融合的探索。晶体生长过程极其复杂,炉内温度、熔体状态等因素相互关联,工艺调控长期依赖工程师的经验积累。通过引入多智能体AI协同技术,长晶过程的监测、分析与调控变得更加便捷准确,为铸造法氧化镓单晶从实验室走向规模化生产提供了扎实的技术支撑。
这份荣誉,是对镓仁半导体“晶体生长技术+AI”创新路径的认可,也源于团队在氧化镓长晶领域多年的深耕。从2英寸到8英寸氧化镓单晶衬底,再到兼容6英寸、8英寸的同质外延量产线建成投产,镓仁半导体在第四代半导体关键核心技术上的持续突破,正加速推动氧化镓材料走向产业化。
未来,镓仁半导体将继续深耕超宽禁带半导体材料,充分挖掘AI技术在晶体生长中的应用潜力,为中国第四代半导体产业的发展贡献镓仁力量。
关于镓仁
杭州镓仁半导体有限公司是全球领先的氧化镓材料与设备解决方案提供商,专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。公司核心产品包括:2-12英寸氧化镓单晶与衬底(其中8英寸、12英寸等径生长为国际首发)、氧化镓垂直布里奇曼法(VB法)长晶设备、2-8英寸氧化镓同质外延片(其中8英寸为国际首发)等,致力于构建 “设备-晶体-衬底-外延” 全链条产品体系,为全球客户提供系统性解决方案。公司在氧化镓领域的相关成果获得人民日报、新华社、科技日报、新浪财经、中国蓝新闻、澎湃新闻等知名媒体专题报道。
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