【会议论文】基于HCl的卤化物HVPE法制备的选择性区域生长的高倍率β-Ga₂O₃结构

        论文简介：来自日本国立材料研究所(NIMS)的Takayoshi Oshima和Yuichi Oshima联合发表了一篇名为《Selective-area-grown high-aspect-ratio β-Ga₂O₃ structures fabricated by HCl-based halide vapor phase epitaxy》的论文文章。该文章介绍基于HCl的卤化物HVPE法制备的选择性区域生长的高倍率β-Ga₂O₃结构。