【会议论文】固体源三卤化物HVPE法实现β-Ga₂O₃层的同质和异质外延生长

        论文简介：来自东京农工大学和日本NCT的K. Nitta、K. Sasaki、A. Kuramata和H. MurakamiGle联合发表了一篇名为《Homo- and hetero-epitaxial growth of β-Ga₂O₃ layers by solid-source tri-halide vapor phase epitaxy》的论文文章。该文章介绍了固体源三卤化物HVPE法实现β-Ga₂O₃层的同质和异质外延生长。