【会议论文】MOCVD外延发展不同取向的β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃薄膜并且生长速度快，Al成分高达63%

        论文简介：来自阿卜杜拉国王科技大学高级半导体实验室和印度理工学院电子和通信工程系的Mritunjay Kumar、Vishal Khandelwal、Saravanan Yuvaraja、Yi Lu、Biplab Sarkar和Xiaohang Li联合发表了一篇名为《MOCVD epitaxial development of differently oriented β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ films with fast growth rates and Al composition up to 63%》的论文文章。该文章介绍MOCVD外延发展不同取向的β-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜并且生长速度快，Al成分高达63%。