【会员新闻】从ε-Ga₂O₃外延片到LNOI晶圆，晶旭半导体布局光通信与射频赛道

        晶旭半导体此次展品覆盖光通信与射频两大赛道，形成从晶圆材料到器件应用的完整展示链条。

        在高速光互连方向，晶旭带来LNOI晶圆与SOI硅光晶圆。产品依托自研等离子精准调节膜厚技术，具备超薄、高共面性、低粗糙度等优异特性，广泛适配数据中心与长距光互连场景，并可拓展至量子光学、微波光子学、声学滤波等前沿领域。其中，SOI硅光晶圆作为数据中心光互连的核心载体，在800G及以上速率产品中的渗透率正持续攀升。

        在射频方向，晶旭展示了ε-Ga₂O₃外延片与POI晶圆。公司技术团队深耕声波滤波器领域二十余年，攻克硅基异质外延与薄膜转移核心工艺，在2023年全国颠覆性技术创新大赛中凭借该材料体系斩获总决赛最高奖。ε-Ga₂O₃压电薄膜拥有大尺寸单晶结构、高压电常数与显著成本优势，所制备POI晶圆可精准匹配FBAR/SMR-BAW声学滤波器指标，为5G/6G大带宽、低损耗射频场景提供全新的底层材料方案。

        两大系列产品同台亮相，折射出晶旭半导体“光电集成+氧化镓射频”双产业板块的战略布局。

        作为国产前沿半导体材料与晶圆方案提供商，晶旭半导体将持续深耕光通信与超宽禁带半导体赛道，以自主核心工艺突破底层材料瓶颈，致力于协同合作伙伴突破核心材料及器件国际垄断瓶颈，推动高端芯片核心材料和光通信产品稳健发展，成为世界领先的化合物半导体材料研发、制造与服务公司。