【会议论文】mist-CVD法在(010)β-Ga₂O₃基材上外延生长β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃和β-(InₓGa₁₋ₓ)₂O₃合金薄膜

        论文简介：来自京都工艺纤维大学电子系和京都工艺纤维大学电气工程和电子系的Masahiro Kaneko、Hiroyuki Nishinaka、Yuki Kajita和Masahiro Yoshimoto联合发表了一篇名为《Epitaxial growth of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ and β-(In_xGa_1-x)₂O₃ alloy thin films on (010) β-Ga₂O₃ substrates via mist chemical vapor deposition》的论文文章。该文章介绍mist-CVD法在(010)β-Ga₂O₃基材上外延生长合金薄膜。