【专利信息】氧化镓专利动态周报（10月-第十五期）：杭州镓仁、北京铭镓、浙江能鹏等企业发布氧化镓新专利，覆盖晶体生长、衬底抛光与器件应用

        国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请了一项名为“一种用于生长氧化镓晶体的籽晶及其制备方法和应用”的专利，申请公布号为CN122898955A，申请号为2026111881640。

        本发明涉及氧化镓晶体技术领域，具体而言，涉及一种用于生长氧化镓晶体的籽晶及其制备方法和应用。用于生长氧化镓晶体的籽晶为直径≥2英寸且厚度≥2mm的圆片状；籽晶具有沿其厚度方向相对设置的上端面和下端面；上端面和下端面均为抛光面且均无划痕，上端面和下端面Ra≤10nm；上端面和/或下端面的TIR<0.4mm；籽晶的TTV<0.5mm；籽晶的边缘解离为0；籽晶的FWHM≤150弧秒。该籽晶为圆片状，可实现与工业化标准圆形衬底加工流程的无缝对接，降低加工复杂性和成本；且籽晶具有大尺寸及高厚度，能确保大尺寸晶体生长的安全性；量化质量指标为籽晶的标准化生产和评价提供客观依据，确保生长晶体的高质量。

        国家知识产权局信息显示，香港科技大学（广州）申请了一项名为“一种声表面波器件及其制备方法和应用”的专利，申请公布号为CN122908734A，申请号为2026110875144。

        本发明提供了一种声表面波器件及其制备方法和应用，所述声表面波器件包括：衬底；设置于所述衬底上的ε相氧化镓层；设置于所述ε相氧化镓层上的叉指换能器结构；以及，覆盖所述ε相氧化镓层和所述叉指换能器结构的保护层。本发明通过引入ε-Ga₂O₃压电薄膜材料并增加保护层，采用雾化学气相沉积工艺实现可控厚度生长，使器件在材料层面具备更优的声学与压电性能基础。

        国家知识产权局信息显示，广州卓光科技有限公司申请了一项名为“一种高纯度氧化镓半导体材料的制备方法”的专利，申请公布号为CN122918694A，申请号为2026113547419。

        本发明公开了一种高纯度氧化镓半导体材料的制备方法，本发明涉及半导体材料制备技术领域，该方法采用由多块相互绝缘的水冷铜瓣拼合而成的无底冷坩埚，配合高频感应线圈直接耦合氧化镓粉体自身产热，依靠自身形成的固态冷凝壳将熔体与坩埚金属壁完全隔离，避免外源金属杂质掺入，在放肩及等径生长阶段，根据固液界面中心与边缘温度差反馈，分区独立调节环绕布置的红外辐射补偿阵列功率，并协同调节Ar/O₂保护气体对流速率，将陡峭温度梯度转化为微凸平滑的柔性等温面，抑制大尺寸晶体生长过程中的热应力集中，本发明所得氧化镓单晶无外源深能级杂质掺入、应力低、尺寸大，适用于大功率电力电子器件、日盲紫外探测器领域。

        国家知识产权局信息显示，北京铭镓半导体有限公司申请了一项名为“一种β-氧化镓导模法单晶生长装置及方法”的专利，申请公布号为CN122918698A，申请号为2026113031176。

        本发明公开了一种β-氧化镓导模法单晶生长装置及方法。装置中，模具上的毛细狭缝的宽度自下至上逐步减小，模具的上表面上设有开槽，开槽开设在毛细狭缝的两侧，开槽平行于毛细狭缝，开槽的两端分别延伸至模具的上表面两端，毛细狭缝两侧的开槽的距离等于β-氧化镓单晶的设计厚度。本发明通过设置毛细狭缝的宽度自下至上逐步减小，解决了宽幅熔体供给不均问题，还通过设置开槽，消除边缘孪晶、开裂缺陷，彻底抑制贯穿孪晶，从而实现4~6英寸大厚度无孪晶氧化镓板状单晶稳定制备，省去大量切片损耗，原材料利用率显著提升，适配工业化大批量生产。

        国家知识产权局信息显示，浙江能鹏半导体材料有限责任公司申请了一项名为“一种氧化镓衬底及其化学机械抛光方法与应用”的专利，申请公布号为CN122914027A，申请号为2026110577499。

        本发明公开了一种氧化镓衬底及其化学机械抛光方法与应用，属于半导体材料超精密加工技术领域。该方法是将氧化镓衬底依次进行粗抛、精抛和终抛，控制所述氧化镓衬底的表面粗糙度Ra≤0.1nm、亚表面损伤深度<10nm；所述粗抛采用含解理抑制剂的复合悬浮研磨液进行抛光；所述精抛采用含纳米氧化铈和勃姆石的复合磨料对粗抛后衬底的不同晶面进行抛光；所述终抛采用中性抛光液在超声辅助和光催化下进行抛光；所述中性抛光液中含有稀土离子掺杂的氧化铈磨料。本发明的方法不仅抑制了氧化镓衬底在抛光过程中的解理现象，降低了表面粗糙度并减少表面缺陷，且可以提高不同晶面抛光的一致性，特别适合应用于半导体。

        国家知识产权局信息显示，郑州大学申请了一项名为“一种抗总剂量辐照的氧化镓肖特基二极管及其制备方法”的专利，申请公布号为CN122934833A，申请号为202610946738X。

        本发明公开了一种抗总剂量辐照的氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括衬底、外延层、背面欧姆接触和正面肖特基接触，在肖特基接触制备前对外延层表面进行四氟化碳（CF₄）等离子体处理，在近表面区域引入镓空位受主型缺陷，形成负空间电荷区；该负电荷区可提升肖特基势垒高度、抑制反向漏电流，并在总剂量辐照过程中抑制辐照产生的空穴向界面迁移，减少施主型界面态的生成。经γ射线辐照验证，本发明的器件在总剂量辐照后势垒高度几乎不变，而未处理器件势垒显著下降。本发明有效提升了氧化镓肖特基二极管的抗总剂量辐照能力和电应力可靠性，适用于航天等高辐照环境。

        国家知识产权局信息显示，深圳信息职业技术大学申请了一项名为“一种氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法”的专利，申请公布号为CN122934922A，申请号为2026108726512。

        本申请公开了一种氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法。本申请的氧化镓深紫外光电探测器，包括在氧化镓层与电极之间，或者N型氧化镓层与P型半导体层之间，增加超薄宽禁带势垒层；超薄宽禁带势垒层为氧化铝、氧化锆、氧化铪和氮化铝中的至少一种材料形成单层或多层层叠结构。本申请的氧化镓深紫外光电探测器，超薄宽禁带势垒层不仅能有效饱和氧化镓表面悬挂键、降低界面陷阱态密度、抑制缺陷辅助隧穿所致的漏电，还能够与氧化镓层及其他层共同构成隧道异质结，在维持高光电流响应的同时压低暗电流，提升器件的光暗电流比与信噪比。

        国家知识产权局信息显示，海南华谱量子材料有限公司和华东师范大学申请了一项名为“氧一种超快激光诱导氧空位的氧化镓光电探测器的改性方法”的专利，申请公布号为CN122934962A，申请号为2026108419567。

        本发明公开了一种超快激光诱导氧空位的氧化镓光电探测器的改性方法，属于光电探测器技术领域。包括：在FTO衬底上沉积非晶氧化镓薄膜；利用激光光源，通过物镜聚焦对薄膜表面进行扫线辐照，引入氧空位并降低粗糙度；沉积ITO电极构建ITO/Ga₂O₃/FTO垂直结构光电探测器。激光处理使薄膜表面氧空位浓度从23.18%升至41.57%，导致ITO/Ga₂O₃界面势垒高度降低，器件在零偏压条件下产生自供电光响应。当氧空位浓度升高至40%以上时，器件在日盲波段（200 nm~280 nm）紫外光照下的光电流极性发生可控反转。本发明通过激光参数调控实现氧空位的定量引入和势垒高度的精准调节，具有工艺简洁、无损改性、极性可控及自供电响应等优点。

        国家知识产权局信息显示，中山智隆新材料科技有限公司申请了一项名为“一种氧化铟锡靶材及其制备方法和应用”的专利，申请公布号为CN122897676A，申请号为2026108000178。

        本发明提供了一种氧化铟锡靶材及其制备方法和应用，属于半导体设备应用靶材技术领域。该靶材以氧化铟、氧化锡、氧化镓、氢化钙为原料，经混合、成型、烧结、加工制得；按质量份计，原料为：氧化铟80~95份，氧化锡5~20份，氧化镓0.01~10份，氢化钙粉末0.01~5份。本发明通过引入镓与钙元素，利用氢化钙分解释氢降低电阻率、纳米氧化钙晶界钉扎细化晶粒、铟镓固溶活化烧结提升致密度，制得的靶材相对密度≥99.0%，电阻率低至1.44×10⁻⁴ Ωcm，溅射薄膜功函数可降至4.61 eV，兼具高致密度、低电阻率与低功函数，适配顶发射OLED透明阴极制备，工艺兼容现有产线，产业化前景良好。

        国家知识产权局信息显示，亚芯半导体材料（江苏）有限公司申请了一项名为“一种高纯氮化镓靶材的制备工艺”的专利，申请公布号为CN122916683A，申请号为2026110502172。

        本发明涉及氮化镓靶材技术领域，尤其涉及一种高纯氮化镓靶材的制备工艺，包括以下步骤：步骤1、冷压成型：得到生坯；步骤2、一次烧结；步骤3、二次烧结；步骤4、冷却除杂，得到氮化镓板坯；步骤5、板坯轧制；步骤6、精加工：对轧制后的氮化镓板坯后进行表面加工至所需尺寸和表面粗糙度，高纯氮化镓靶材，本发明提出的高纯氮化镓靶材的制备工艺，先通过氧化镓与氨气进行一次反应，生成具有微孔的氮化镓；然后加入钠、镓以及氮气进行二次反应，最终能够生成致密的氮化镓烧结坯，经过表面除杂和轧制后得到高纯氮化镓靶材，整个制备过程方便且能耗低，适合推广使用。