【外延论文】Fe 诱导的刚玉 α-(FeₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 薄膜的稳定化：相变与热力学见解

        由越南河内科技大学的研究团队在学术期刊 RSC Advances 发布了一篇名为Fe-induced stabilization of corundum α-(FeₓGa₁₋ₓ)₂O₃ thin films: phase transformation and thermodynamic insights（Fe 诱导的刚玉 α-(FeₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 薄膜的稳定化：相变与热力学见解 ）的文章。

摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）是一种具有超宽带隙的半导体材料，在电子和光电子应用领域具有巨大潜力。其中，亚稳态刚玉 α 相因其合金化和带隙工程特性而备受关注，但热稳定性有限。在本研究中，该团队通过实验和密度泛函理论（DFT）系统研究了通过雾气化学气相沉积技术生长的 α-(FeₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 薄膜的相稳定性。实验结果表明，增加铁含量会抑制 α→β 相变，使相变温度升高，并因电子杂化而减小带隙。DFT 结果表明，铁的掺入降低了 α 相和 β 相之间的能量差，通过应变效应、缺陷相互作用和阳离子迁移率降低来稳定刚玉结构。这些发现为基于 Ga₂O₃ 的合金相控制提供了见解，并为高温应用中稳定亚稳态氧化物相提供了一条途径。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/d6ra02957d