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【专利信息】氧化镓专利动态周报（10月-第十六期）：杭州镓仁、山东国镓晶谷、西电等发布氧化镓新专利，覆盖图形化外延、VGF晶体生长与器件应用
日期：2026-11-02阅读：61
为进一步加强氧化镓产业信息交流，帮助产业各方及时了解行业技术发展动态，亚洲氧化镓联盟特别推出“氧化镓专利信息周报”栏目，持续整理并发布近一周内公开的氧化镓领域专利申请信息及技术进展。
专利作为技术创新成果的重要体现，能够反映产业链各环节的研发方向和技术布局。本栏目将围绕晶体生长、材料制备、缺陷调控、器件开发、工艺优化及应用拓展等方向，汇总行业内相关专利信息，为企业、高校及科研机构提供技术趋势参考，助力产业各方把握氧化镓领域创新动向，共同推动产业发展。本期为栏目第十六期，盘点了2026年10月第四周（10月19日—10月25日）公开发布的氧化镓领域相关专利信息。
一种具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底及其制备方法、外延片的制备方法和应用（10.20发布）
国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请了一项名为“一种具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底及其制备方法、外延片的制备方法和应用”的专利，申请公布号为CN122942166A，申请号为2026111094715。
本发明涉及氧化镓外延技术领域，具体而言，涉及一种具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底及其制备方法、外延片的制备方法和应用。具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底的制备方法包括：在衬底上形成光刻胶层，采用具有非正五边形的光刻版对光刻胶层进行曝光和显影，再经坚膜，形成具有非正五边形的光刻胶掩膜；对形成有光刻胶掩膜的衬底进行溶液修饰和清洗，得到具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底；非正五边形具有至少两条不等长的边。采用该具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底进行外延生长氧化镓薄膜，能够将衬底的缺陷和早期形核的位错等缺陷折断在初期形核层，达到过滤位错的作用；且该方法适用于各类衬底，不限定于同质外延。
一种全永磁式615兆赫电子回旋共振宽禁带半导体薄膜沉积设备（10.20发布）
国家知识产权局信息显示，王炬申请了一项名为“一种全永磁式615兆赫电子回旋共振宽禁带半导体薄膜沉积设备”的专利，申请公布号为CN122942009A，申请号为2026111126896。
本发明公开一种全永磁式615兆赫电子回旋共振宽禁带半导体薄膜沉积设备，属于宽禁带半导体薄膜沉积装备领域，解决现有2.45吉赫、915兆赫励磁线圈型电子回旋共振设备能耗高、磁场漂移、长波长微波驻波干扰、薄膜缺陷多、适配晶圆尺寸小的问题。本发明包含615兆赫微波馈入单元、六层协同驻波抑制腔体、无励磁线圈全永磁共振磁场组件、三层隔离喷淋气路、衬底底盘、真空机组、工控系统；采用多层错位镂空永磁阵列输出匹配615兆赫的恒定共振磁场，省去励磁电源与线圈水冷，整机能耗大幅下降；六层结构专门抑制615兆赫长波长微波多重驻波，三层隔离气路避免金属有机源提前反应；本设备磁场均匀区间长、等离子体分布均匀、薄膜晶格缺陷少，可适配6英寸及以下氧化镓、金刚石、氮化铝等宽禁带半导体单晶薄膜产业化外延制备。
一种基于相结的高光增益探测器及其制备方法（10.23发布）
国家知识产权局信息显示，西安电子科技大学申请了一项名为“一种基于相结的高光增益探测器及其制备方法”的专利，申请公布号为CN122971009A，申请号为2026107943470。
本发明公开了一种基于相结的高光增益探测器，包括衬底、单晶氧化镓、非晶氧化镓和金属电极；所述单晶氧化镓设置在衬底上，所述非晶氧化镓设置在单晶氧化镓上形成相结；所述金属电极包括第一电极和第二电极，分别设置在非晶氧化镓和单晶氧化镓上。本发明将通过构建超薄非晶/单晶氧化镓同相异质结构，引入可控氧空位缺陷提升光增益，进而改善氧化镓光电探测器响应度和响应速度相互制约的问题，实现高性能氧化镓探测器。
一种氧化镓VGF生长的动态气氛控制方法、设备及介质（10.23发布）
国家知识产权局信息显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司申请了一项名为“一种氧化镓VGF生长的动态气氛控制方法、设备及介质”的专利，申请公布号为CN122959851A，申请号为2026110617960。
本申请公开了一种氧化镓VGF生长的动态气氛控制方法、设备及介质，涉及宽禁带半导体材料制备技术领域。方法包括：在立式VGF单晶生长炉内沿坩埚轴向划分出相互气体隔离、独立控温且独立供气的三个功能分区，并搭建多参数实时监测系统与中央闭环控制系统；在预生长阶段，执行炉腔洗气与预保温，并为各功能分区建立轴向递减的初始氧分压梯度；在晶体生长阶段，基于多参数实时监测系统采集的实时监测数据对各功能分区执行差异化氧分压控制，并随固液界面的轴向移动同步动态调整各功能分区的覆盖范围与气氛参数；在生长完成后，执行全炉体低氧分压惰性气氛退火冷却控制。
一种带背面欧姆接触金属层的氧化镓超薄晶圆及其制备方法（10.23发布）
国家知识产权局信息显示，中承建业科技有限公司申请了一项名为“一种带背面欧姆接触金属层的氧化镓超薄晶圆及其制备方法”的专利，申请公布号为CN122971225A，申请号为2026111522332。
本发明公开了一种带背面欧姆接触金属层的氧化镓超薄晶圆及其制备方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明提供已完成正面器件工艺的氧化镓晶圆，将其正面通过临时键合介质与载片进行键合；在载片保持键合状态下，对氧化镓晶圆背面进行减薄处理后，在减薄后的背面沉积形成欧姆接触金属层，并进行热处理；退火完成后，通过激光烧蚀或热滑移方式解除临时键合介质，实现载片与带有背面欧姆接触金属层的超薄氧化镓晶圆分离。本发明利用载片在超薄化、金属化及热处理全过程中的持续机械支撑作用，有效降低超薄氧化镓晶圆加工过程中的翘曲、破裂及界面损伤，提高晶圆完整性，同时实现低阻稳定背面欧姆接触结构，适用于高耐压氧化镓功率器件制造。
除专注于氧化镓材料半导体方面相关的专利外，本周还有部分专利涉及氧化镓材料在其他领域的应用，供读者参考。
一种抗结瘤镨镓共掺的氧化铟锡靶材及其制备方法（10.23发布）
国家知识产权局信息显示，广西晶联光电材料有限责任公司申请了一项名为“一种抗结瘤镨镓共掺的氧化铟锡靶材及其制备方法”的专利，申请公布号为CN122958153A，申请号为2026112278345。
本发明涉及一种抗结瘤镨镓共掺的氧化铟锡靶材及其制备方法，包括以下步骤：a.稀土氧化物预分散处理：向氧化镨粉末中加入分散剂和水，进行预球磨；然后再加入氧化镓粉末，再球磨，得到预分散稀土氧化物浆料；b.混合与球磨：向预分散稀土氧化物浆料中加入氧化锡粉末球磨，再加入氧化铟粉末，继续球磨，最后加入粘结剂球磨；c.造粒：通过喷雾干燥得到混合粉末；d.成型得到靶材素坯；e.采用四段式烧结工艺烧结得到靶材。本发明通过合理配比的镨镓共掺和优化的制备工艺，在保证靶材高致密度和低电阻率的基础上，从根源上抑制靶材在磁控溅射过程中的结瘤现象，实现靶材性能与溅射稳定性的协同优化。
