【会议论文】通过发射显微镜和同步辐射X射线形貌术观察HVPE(001)β-Ga₂O₃ SBD中负责泄漏电流的位错

        论文简介：来自佐贺大学电气电子工学系、日本NCT和日本TDK的Sayleap Sdoeung、Kohei Sasaki、Katsumi Kawasaki、Jun Hirabayashi、Akito Kuramata和Makoto Kasu联合发表了一篇名为《Dislocation responsible for leakage current in HVPE (001) β-Ga₂O₃ SBD observed by emission microscopy and synchrotron x-ray topography》的论文文章。文章介绍了通过发射显微镜和同步辐射X射线形貌术观察HVPE(001)β-Ga₂O₃ SBD中负责泄漏电流的位错。