【会议论文】生长技术和生长后退火对κ-Ga₂O₃的电子和声学特性的影响

        论文简介：来自柏林科技大学、埃朗根-纽伦堡大学、帕尔马大学、意大利IMEM-CNR、不来梅大学固体物理研究所、德国莱比锡大学，Felix Bloch固体物理研究所、马格德堡大学物理研究所、莱布尼茨学会保罗-德鲁德固体电子学研究所的B. M. Janzen、V. F. S. Peltason、N. Hajizadeh、C. Hartung、M. N. Marggraf、F. Nippert、R. Gillen、J. Maultzsch、P. Mazzolini、R. Fornari、M. Bosi、L. Seravalli、 A. Karg、M.Eickhoff、M. Kneiß、H. von Wenckstern、M. Grundmann、E. Kluth、M. Feneberg、R.Goldhahn、A. Ardenghi、O. Bierwagen和M. R. Wagner联合发表了一篇名为《Impact of growth techniques and post-growth annealing on electronic and phononic properties of κ-Ga₂O₃》的论文文章。该论文介绍了生长技术和生长后退火对κ-Ga₂O₃的电子和声学特性的影响。