【会议论文】在(001)FZ法生长的ϵ-GaFeO₃衬底上利用Mist CVD技术沉积κ-(Ga₁₋ₓInₓ)₂O₃薄膜的TEM缺陷特征

        论文简介：来自明治大学，明治可再生能源实验室、京都工艺纤维大学电气电子工学系和金泽工业大学电气电子工学系的O. Ueda、H. Nishinaka、N. Ikenaga、N. Hasuike和M. Yoshimoto发表了一篇名为《TEM characterization of defects in κ-(Ga_1-xIn_x)₂O₃ thin film grown on (001) FZ-grown ϵ-GaFeO₃ substrate by Mist CVD》的论文文章。该文章介绍了在(001)FZ法生长的ϵ-GaFeO₃衬底上利用Mist CVD技术沉积κ-(Ga_1-xIn_x)₂O₃薄膜的TEM缺陷特征。