【国际论文】钛掺杂氧化镓/本征氧化镓/p-Si PIN光电二极管的制备及其紫外检测性能

        近日，由天津理工大学和山东大学的研究团队在科学期刊《Springer Link》上刊登了一篇名为Preparation and UV detection performance of Ti-doped Ga₂O₃/intrinsic-Ga₂O₃/p-Si PIN photodiodes（钛掺杂氧化镓/本征氧化镓/p-Si PIN光电二极管的制备及其紫外检测性能）的文章。

内容摘要

        此项研究采用双靶RF磁控共溅技术，在p-Si基底上依次溅射本征Ga₂O₃和不同钛掺杂浓度的n-Ga₂O₃，制备了PIN结构的光电二极管。制备的Ga₂O₃薄膜均为非晶态，表面RMS粗糙度随钛掺杂浓度的增加而增加。钛浓度为4.35和6.15 at.%的PIN二极管在反向击穿电压方面表现出很高的性能（分别为180和160 V），且在反向偏置状态下对254 nm紫外光（70μW cm^-2）具有显著的光电响应，光电流与暗电流之比（I_photo/I_dark）在-100 V偏压下分别为520.9和290.3。钛浓度为4.35 at.%的光电二极管在-10 V偏压下具有最高的响应度，高达0.65 A mW^-1，上升（tr）和下降（td）时间短，分别为0.31s和0.19s。本研究提供了一种简单的方法制备高性能的深紫外光探测器，并便于后续的集成和低成本大规模生产。

原文链接：https://doi.org/10.1007/s10854-023-10214-2