【会议论文】锌掺杂β-Ga₂O₃薄膜中空穴导电性的证明

        论文简介：来自巴黎萨克雷大学凝聚态物质研究小组（GEMaC）、里昂大学，INSA里昂，CNRS，ECL，UCBL，CPE，里昂纳米技术研究所、加泰罗尼亚纳米科技研究所（ICN2）和伊万·雅瓦希什维利第比利斯国立大学的Z. Chi、C. Sartel、G. Bouchez、F. Jomard、V. Sallet、G. Guillot、K. Boukheddaden、A. Pérez-Tomás、T. Tchelidze、Y. Dumont和E. Chikoidze联合发表了一篇名为《Evidence of hole conductivity in Zn doped β-Ga₂O₃ thin films》的论文文章。该文章介绍锌掺杂β-Ga₂O₃薄膜中空穴导电性的证明。