【会议论文】利用太赫兹时域光谱椭圆偏振技术对β-Ga₂O₃外延片的电性能表征

        论文简介：来自阿卜杜拉国王科技大学高级半导体实验室和印度理工学院电子和通信工程系的Toshiyuki Iwamoto、Verdad C. Agulto、Shuang Liu、Youwei Wang、Valynn Katrine Mag-usara、Takashi Fujii、Ken Goto、Yoshinao Kumagai和Makoto Nakajima联合发表了一篇名为《Characterization of electrical properties of β-Ga₂O₃ epilayer using terahertz timedomain ellipsometry》的论文文章。该文章介绍利用太赫兹时域光谱椭圆偏振技术对β-Ga₂O₃外延片的电性能表征。