【会议论文】比较第IV族施主元素以调整脉冲激光沉积法生长的α-Ga₂O₃的电性能

        论文简介：来自莱比锡大学，Felix Bloch固体物理研究所、柏林洪堡大学，物理系超分子系统的S. Vogt、M. Kneiß、C. Petersen、T. Schultz、H. von Wenckstern、N. Koch和M. Grundmann联合发表了一篇名为《Comparison of group-IV donor elements for tailoring electrical properties of α-Ga₂O₃ grown by pulsed laser deposition》的论文文章。该文章比较第IV族施主元素以调整脉冲激光沉积法生长的α-Ga₂O₃的电性能。