【产业新闻】小荷才露尖尖角的氧化镓

中国第一！韩媒发布氧化镓有效专利持有量排名

        据韩媒报道，日前，韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”，会上公布了氧化镓专利申请情况。

        根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，日本拥有专利313件，两国专利数量占总数的50%以上。2021年9月至2022年11月新增的460件专利中，大部分来自中国（240 件）和日本（87件）。

        AnA Patent专利代理人表示，“仅过了1年零2个月，氧化镓功率半导体元件相关专利数就增加了50%左右，世界各国的专利确保动向非常活跃。虽然不能仅凭专利就讨论实际技术能力，但值得关注的是，中国和日本申请了大量专利。”

松山湖举办同“芯”筑梦半导体产业资源对接会

        3月28日，同“芯”筑梦半导体产业资源对接会在松山湖中集智谷国际会议中心举办。松山湖党工委委员、管委会副主任卢钢，东莞市工业和信息化局四级调研员刘瑜，东莞市科学技术局四级调研员罗广林等出席会议。

        半导体产业是国家信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性产业。2023年东莞市政府“一号文”指出：要推动战略性新兴产业能级提升，加快打造半导体及集成电路、新材料等产业新立柱，2025年底前实现半导体及集成电路产业集群突破千亿规模。

        在主题分享环节，松山湖材料实验室研究员、博士生导师梅增霞围绕《氧化镓薄膜光电探测器应用研究》，提出缺陷是材料和物质领域研究的重要入口和抓手，发展新型高性能直接转换X射线探测器是国产替代的战略方向，并详细就氧化镓薄膜光电探测研究的现状、目标、优势及进展进行介绍。

祝贺！理学院物理学系郭道友教授入选2022中国高被引学者榜单

        3月28日，爱思唯尔(Elsevier)重磅发布2022“中国高被引学者”(Highly Cited Chinese Researchers)榜单。此榜单以全球权威的引文与索引数据库Scopus作为中国学者科研成果的统计来源，理学院物理学系 郭道友教授入选物理学科中国高被引学者。

        郭道友，浙江理工大学2006级（本科）应用物理学专业校友。浙江理工大学特聘教授，现挂职理学院院长助理。

        浙江省“万人计划”青年拔尖人才（2020年），入选浙江理工大学第三批“青年拔尖人才--杰青培养计划”，获北京市自然科学奖二等奖（2020年，排名第二）、中国商业联合会科学技术奖--全国商业科技进步奖一等奖（2022年，排名第一）、中国产学研合作创新成果优秀奖（2022年，排名第一）。  

        从2013年开始一直从事超宽禁带半导体氧化镓材料与器件的研究，在材料生长、晶相/物性调控、表界面/能带工程、金半接触、日盲光电及信息存储器件的结构设计与构筑等方面获得了多项重要的突破和进展，在该研究领域形成了特色鲜明的自主创新体系。以第一/通讯作者在Phys. Rev. Appl.、Appl. Phys. Lett.、ACS Nano等国际知名刊物上发表氧化镓相关SCI论文60余篇【入选ESI高被引论文10篇、ESI热点论文2篇】，邀请/撰写氧化镓相关综述3篇。论文被包括中国科学院院士、氧化镓国际研讨会主席、美国空军研究实验室等国内外著名学者或权威机构正面引用及评价总计5500余次，单篇引用超过百次的论文有12篇，个人H因子为41。担任Nat. Electron.、Adv. Mater.等20余种期刊审稿人。 

        目前，正主持或完成国家自然科学基金面上项目、浙江省自然科学基金、国防科工局等项目13项。申请氧化镓相关专利52项，其中已授权30项，同时积极推进氧化镓材料与器件的产业化

关于征集2023年度珠海市集成电路产业关键核心技术攻关专项指南建议的通知

        为贯彻落实党的二十大和习近平总书记关于加强关键核心技术攻关的系列重要讲话精神，落实《珠海市大力支持集成电路产业发展的意见》和《关于促进珠海市集成电路产业发展的若干政策措施》的有关要求，以我市集成电路产业企业战略需求为牵引，强化珠海集成电路强链补链支撑作用，促进产业链快速稳健发展。按照我市科技创新工作部署，现面向全市集成电路领域各有关单位征集2023年度珠海市集成电路产业关键核心技术攻关专项指南建议，具体通知如下：

一、专项重点任务

（一）集成电路设计：消费级、工业级、车规级、军工级的通信关键芯片、通用数字/模拟芯片（存储器、高性能处理器、数模/模数转化器）、高性能专用集成电路、FPGA等。

（二）制造工艺与关键元器件：半导体衬底与外延片（8/12英寸高质量硅衬底、氮化镓/氮化铝、碳化硅、砷化镓/磷化铟/锑化镓、氧化镓、金刚石等）、工艺与器件（FinFET、FDSOI、GAA、IGBT、MEMS、后摩尔时代工艺与器件关键技术、新型光电子器件、传感器、氮化镓或砷化镓高频（微波、毫米波、太赫兹）器件、氮化镓或碳化硅电力电子器件等）。

（三）EDA：EDA工具、自主可控IP核。

（四）材料：关键制造工艺材料（电子化学品、电子特气）、封装材料（烧结银、封装基板、陶瓷或金属或塑料封装管壳）等。

（五）装备：材料制备设备、工艺设备、封装设备、测试设备。

二、征集要求

（一）每家单位可提出1-2项指南建议，本次征集指南建议作为编制2023年度珠海市集成电路产业关键核心技术攻关专项申报指南的主要参考依据。

（二）项目提出单位应为我市具有独立法人资格的企业、科研机构等单位，具有水平较高的研发团队或在行业具有较大影响力的领军人才，并具备根据所提需求组织项目实施的良好的生产、研发和管理等能力。

（三）项目组织实施形式多样，可采取需求单位自行组织实施、通过政府发布需求向社会公开招标联合组织实施等方式。