【会议论文】具有处理能力948 V / 27 A的大尺寸（4.1 × 4.1 mm²）的β-Ga₂O₃场电极MOSSBD

        论文简介：来自日本NCT的F. Otsuka、H. Miyamoto、K. Sasaki和A. Kuramata 联合发表了一篇名为《Large-size (4.1 × 4.1 mm²) β-Ga₂O₃ field-plated MOSSBD with a 948 V / 27 A handling capability》的论文文章。该文章具有处理能力948 V / 27 A的大尺寸（4.1 × 4.1 mm²）的β-Ga₂O₃场电极MOSSBD。