【国际论文】高速生长的氧化镓薄膜的等离子体增强热氧化制备用于日盲光电探测器

        近日由厦门大学电子科学与技术学院与澳洲昆士兰科技大学的研究团队在科学期刊《sciencedirect》发布了一篇名为High-rate growth of gallium oxide films by plasma-enhanced thermal oxidation for solar-blind photodetectors（高速生长的氧化镓薄膜的等离子体增强热氧化制备用于日盲光电探测器）的论文文章。

内容摘要

        几乎所有报告的高性能β-Ga₂O₃薄膜都是通过分子束外延、MOCVD和脉冲激光沉积等高成本、低通量的方法生长的。为探索一种高质量、低成本的β-Ga₂O₃快速生长方法，团队设计了一种自制的等离子体增强CVD法，用于氮化镓的创新热氧化。研究表明，等离子体增强热氧化（PETO）制备的氧化镓薄膜生长速率比类似生长条件下的热氧化过程高2到5倍。对于PETG制备的β-Ga₂O₃薄膜，实现了高速生长、低均方根粗糙度和在（–201）晶面方向上的生长。所开发的生长机制阐明了O₂和Ar+O₂等离子体表面相互作用在β-Ga₂O₃生长过程中的作用。基于PETO生长的β-Ga₂O₃薄膜的太阳盲光电探测器具有高日盲对紫外线抑制比（R_245nm/R_360nm = 10.2），低上升时间0.17 s和低下降时间0.2 s。等离子体表面相互作用效应是通用的，适用于更广泛的材料系统、设备应用。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.157162