【国际论文】将氧化镓推向更高水平

        近日在杂志《Compound Semiconductor》中刊登了一篇名为Taking Ga₂O₃ to the next level（将氧化镓推向更高水平）的文章。

        文章介绍了通过使用AGNITRON TECHNOLOGY公司（AGNITRON TECHNOLOGY是一家美国制造商，为化合物半导体材料提供MOCVD设备。其为各种材料提供从研究到批量生产的设备，如As/P、GaN、氧化物（ZnO、Ga₂O₃、MgZnO等）、过渡金属卤化物和2D材料）的MOCVD装置进行氧化镓薄膜的外延，可以实现高质量、高晶格匹配性和高掺杂浓度的氧化镓晶体生长。此外，利用先进的晶体生长技术，如气相输运法、悬浮液法和自催化法等，可以制备大面积、高质量和低缺陷密度的氧化镓晶体。总体来说，氧化镓半导体领域的研究和开发仍然处于不断进步的阶段。随着新的晶体生长和器件制造方法的不断涌现，以及氧化镓材料性能的不断提高，氧化镓半导体在各个领域的应用将会更加广泛和深入。氧化镓半导体的研究还将促进材料科学和器件技术的发展，为新一代高性能半导体器件的开发奠定基础。

图1. 使用Agnitron Agilis 100 MOCVD设备在50mm蓝宝石衬底外延Ga₂O₃薄膜的2D厚度图。图中应用了2mm的边缘排除法。薄膜厚度非常均匀，不均匀度只有2%左右。

图2. 通过C-V测量确定了硅烷摩尔流量的掺杂浓度依赖性，在Agnitron技术公司使用最佳工艺条件生长的β-Ga₂O₃薄膜（a）。2D原子力显微镜（AFM）图像显示在(010) β-Ga₂O₃衬底上生长的厚度为5.1μm的薄膜，其切角为1°（b）和0°，也称为轴向（c）。在轴上基片上生长的薄膜的特征比在误切角为1°的衬底上的薄膜的特征大。