【会议论文】用原子力显微镜观察与铝溶解度极限有关的(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃薄膜缺陷的进展

        论文简介：来自日本国立材料研究所(NIMS)和大阪市立大学物理与电子系的T. Ohtsuki和M. Higashiwaki联合发表了一篇名为《Development of defects in (Al_xGa_1-x)₂O₃ thin films associated with Al solubility limit observed by atomic force microscopy》的论文文章。该文章介绍了用原子力显微镜观察与铝溶解度极限有关的(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜缺陷的进展。