【国际论文】氧等离子体对等离子体辅助脉冲激光沉积制备的β-Ga₂O₃深紫外光电探测器的影响

        由韩国汉阳大学的研究团队在科学期刊《ACS Publications》上发布了一篇名为Effect of Oxygen Plasma on β-Ga₂O₃ Deep Ultraviolet Photodetectors Fabricated by Plasma-Assisted Pulsed Laser Deposition（氧等离子体对等离子体辅助脉冲激光沉积制备的β-Ga₂O₃深紫外光电探测器的影响）的论文。

内容摘要

        使用等离子体辅助脉冲激光沉积系统制备了金属-半导体-金属结构的β-Ga₂O₃光电探测器，并使用不同的氧气等离子体射频功率（RF）从0到100 W进行处理。随着射频功率的增加，材料的所有光电特性均得到了改善。具有100W射频功率的β-Ga₂O₃光电探测器显示出最佳的光电特性，例如0.39 A/W的光电响应度、192.61%的外量子效率和9.09×10¹³ cm Hz^1/2/W的探测度。此外，光开关分析显示出最快的光响应速度（1.46和0.21s）进行开关。这些结果源于通过氧RF功率减少β-Ga₂O₃薄膜中的氧空位缺陷浓度。我们的结果表明，使用氧等离子体制备的β-Ga₂O₃光电探测器可以优化和改善光检测性能，并可应用于未来的深紫外探测器。

原文链接：https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00066