【国际论文】缺陷诱导的β-Ga₂O₃的磁特性： 第一性原理研究

        由印度巴西尔哈特学院等组成的研究团队在科学期刊《Sciencedirect》投稿了一篇名为Magnetic properties of defect induced β-Ga₂O₃: A first principles study（缺陷诱导的β-Ga₂O₃的磁特性： 第一性原理研究）论文文章。

内容摘要

        利用密度泛函理论的框架，研究了氧化镓(β-Ga₂O₃)中镓空位(VGa)以及掺杂在镓位(TMGa)的3d过渡金属离子的电学和磁学性质。在β-Ga₂O₃中，Ga空位表现出p型半导体行为和铁磁有序性。自旋相互作用研究表明，在β-Ga₂O₃的镓位上取代铁、镍和铜可以引起显著的磁矩和稳定的铁磁序。氧近空位处的2p轨道电子是引起镓空位诱导系统中大磁矩的主要原因。在掺杂系统中，掺杂剂的3d轨道电子是磁性的主要来源，而氧的2p电子只有少量的贡献。对所有系统进行了Bader电荷分析和能带结构计算。镓空位诱导的β-Ga₂O₃可能成为自旋电子学应用的可行材料。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.cocom.2023.e00810