【国际论文】α-Ga₂O₃在m面蓝宝石衬底上的位错和杂质对载流子传输的影响

        近日，由日本京都大学和兵库县立技术研究所的研究团队在科学杂志《SpringerLink》上投稿了一篇名为Effect of dislocations and impurities on carrier transport in α-Ga₂O₃ on m-plane sapphire substrate（α-Ga₂O₃在m面蓝宝石衬底上的位错和杂质对载流子传输的影响）的论文文章。

内容摘要

        本研究通过随温度变化的霍尔效应测量（30-300K），研究了m面蓝宝石衬底上Si掺杂的n型α-Ga₂O₃薄膜的载流子传输机制。所有的薄膜都显示出约10¹⁰-10¹¹ cm^-2的位错密度。在非简并的α-Ga₂O₃中，低温区域明显表现出杂质带效应，并且位错散射是主要的散射机制。相比之下，在简并的α-Ga₂O₃中，尽管位错密度与非简并情况相当，但是由于带电位错的强烈屏蔽作用，由电离杂质散射主导其迁移率。分析表明，在高位错密度的α-Ga₂O₃中的载流子传输机制在简并或非简并情况下存在差异。最后，我们估计了蓝宝石衬底上的α-Ga₂O₃中对位错不敏感的迁移率的临界位错密度，并指出器件中轻度掺杂的漂移层将需要低于约1×10⁷-1×10⁸ cm^-2的位错密度。

原文链接：https://link.springer.com/article/10.1557/s43578-023-01015-8