【国际论文】非平衡法合成和改性氧化镓的方法

        由俄罗斯的罗巴切夫斯基大学等研究机构组成的科研团队在科学期刊《ResearchGate》上发布了一篇名为Non-equilibrium methods for synthesis and modification of gallium oxide（非平衡法合成和改性氧化镓的方法）的论文文章。

内容摘要

        在功率电子、紫外探测器、气体传感器、通信等领域，合成和改性宽带隙半导体氧化镓是一个重要的课题。对通过磁控溅射在蓝宝石衬底上沉积的Ga₂O₃薄膜进行了研究。分析了沉积参数和随后的退火对合成薄膜的结构和光学性质的影响。通过离子注入方法对磁控溅射沉积的薄膜进行硅离子掺杂。通过拉曼散射和光透射光谱分析表明，离子辐照导致晶体结构的无序化，但随后的退火部分恢复了结构。辐照后经退火的薄膜的霍尔效应测量结果并未显示形成导电层。显然，主要是因为磁控溅射沉积的薄膜中颗粒边界对电阻的影响。

图1. Ga₂O₃磁控溅射薄膜的拉曼光谱与退火温度（a）、沉积过程中的工作压力和射频功率的依赖关系（b）。

图2. 在蓝宝石上辐照硅离子并随后退火的磁控溅射Ga₂O₃薄膜的拉曼光谱。FA代表“炉内退火”。为方便观察，仅显示了一个离子剂量的数据。

原文链接：https://www.researchgate.net/publication/357034831_Non-equilibrium_methods_for_synthesis_and_modification_of_gallium_oxide