【国际论文】利用氢氦混合气体的常压等离子体对氧化镓衬底进行高速刻蚀

        近日，由大阪大学的研究团队在科学期刊《Scientific.Net》上投稿了一篇名为High-Speed Plasma Etching of Gallium Oxide Substrates Using Atmospheric-Pressure Plasma with Hydrogen-Helium Mixed Gas（利用氢氦混合气体的常压等离子体对氧化镓衬底进行高速刻蚀）的论文文章。

内容摘要

        除了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）之外，氧化镓（Ga₂O₃）作为一种宽禁带半导体材料也引起了人们的关注。与SiC和GaN不同，Ga₂O₃的硬度不高，但具有很强的解理特性，使得高效机械加工变得困难。因此，本研究对利用大气压等离子体进行高速蚀刻对Ga₂O₃进行了研究。通过使用氢气而不是有毒且腐蚀性强的氯气作为反应气体，基础加工实验获得了极高的去除速率，达到60 μm/min。这些发现不仅为氧化镓MOSFET的研发提供了重要见解，也展示了氧化镓垂直功率器件的巨大潜力。

原文链接：https://www.scientific.net/SSP.342.69