【国际论文】一维Ga₂O₃-ZnGa₂O₄核壳异质结构合成的两种方法的比较

        近日由拉脱维亚大学固体物理研究所的研究团队在科学期刊ScienceDirect上发布了名为Comparison of two methods for one-dimensional Ga₂O₃-ZnGa₂O₄ core–shell heterostructure synthesis（一维Ga₂O₃-ZnGa₂O₄核壳异质结构合成的两种方法的比较）的论文文章。

内容摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）作为一种新的超宽禁带半导体材料，在薄膜和纳米线（NWs）形式上显示出应用前景。然而，由于缺乏本征的p型导电性，其广泛应用受到限制，因此需要制备异质结。一个潜在的匹配材料是尖晶石结构的镓锌酸盐（ZnGa₂O₄）。本研究展示并比较了两种一维Ga₂O₃-ZnGa₂O₄核壳结构纳米线的制备方法：（a）使用反应性磁控溅射直接沉积ZnGa₂O₄涂层；（b）通过原子层沉积在高温下退火形成的牺牲性ZnO薄层，以促进ZnO和Ga₂O₃之间的固相反应。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子能谱对生长的纳米结构进行了表征。利用光致发光和光吸收技术揭示了室温下的光学特性。虽然这两种方法都可用于制备异质结构，但与溅射沉积方法相比，通过牺牲层转化得到的ZnGa₂O₄涂层更加光滑和均匀。这些异质结构有望在光催化和纳米尺度的超宽禁带电子器件中发挥作用。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127319