【国际论文】白光对基于β-Ga₂O₃的紫外线检测器光电特性的影响

        由俄罗斯托木斯克国立大学的研究团队在科学期刊《IEEE Sensors Journal》上发布了名为Influence of White Light on the Photoelectric Characteristics of UV Detectors Based On β-Ga₂O₃（白光对基于β-Ga₂O₃的紫外线检测器光电特性的影响）

内容摘要

        在本报告中，我们考虑了低于β-Ga₂O₃带隙的辐射对基于氧化镓薄膜的紫外（UV）辐射探测器的光电特性的影响。氧化镓薄膜通过射频磁控溅射法沉积。间隔距离d = 30 μm的互连式Ti/V电极形成。该结构在λ = 254 nm波长和780 μW/cm²强度的辐射下表现出较高的光电流值。在经过UV辐射后，探测器表现出持续光电导性。持续电导性的存在可以通过Ga₂O₃薄膜中的陷阱浓度较高以及在UV辐照下对其重新充电来解释。低于β-Ga₂O₃带隙的能量量子辐射改变了氧化镓薄膜中陷阱中心的电荷状态。这种效应导致UV照射下的光电流增加，并增加了探测器的稳定性。

原文链接：https://doi.org/10.1109/JSEN.2023.3284412