【国际论文】α-Ga₂O₃在实际设备应用方面的进展

        近日，由日本立命馆大学、京都大学和FLOSFIA组成的研究团队在科学期刊《IOP Science》上发表的名为Progress in α-Ga₂O3 for practical device applications（α-Ga₂O₃在实际设备应用方面的进展）的论文文章。

内容摘要

        本文综述了在蓝宝石上生长的α-相氧化镓（α-Ga₂O₃）在低成本和实用设备应用方面的最新进展。该综述主要关注以下几个方面：（i）异质外延形成的位错，（ii）p型导电性（β-Ga₂O₃的普遍问题），（iii）由于α-Ga₂O₃的亚稳相而导致热的不稳定性，并讨论了克服这些问题的努力。结果显示，位错密度（<1 × 10⁸cm^-2）的准则，以便在电子传输中掩盖位错散射，为此我们提到了缓冲层和外延侧向过长。准垂直肖特基势垒二极管（SBD）在低电流密度下表现出对缺陷不敏感的电流-电压特性。我们还展示了与α-相铱酸化物（α-Ir₂O₃）或α-(Ir,Ga)₂O₃形成的异质结pn二极管以及提高α-Ga₂O₃热稳定性的方法。最新的器件特性，如低导通电阻和大电流SBD以及具有1400 V高反向电压的pn结，表明α-Ga₂O₃基设备有着良好的发展前景。

原文链接：https://doi.org/10.35848/1347-4065/acd125