【国际论文】肖特基势垒高度和电子输运在Ga₂O3₃肖特基二极管中的作用

        由韩国光云大学主导组成的研究团队在科学期刊《IOP Science》上发表的名为Schottky barrier heights and electronic transport in Ga₂O₃ schottky diodes（肖特基势垒高度和电子输运在Ga₂O₃肖特基二极管中的作用）的论文文章。

内容摘要

        肖特基接触是金属和半导体之间界面形成的一种重要结构，在肖特基势垒二极管（SBDs）的电学特性中起着关键作用。尽管异质结构与热导率较差密切相关，但异质结构下应用氧化镓（Ga₂O₃）的肖特基接触并没有得到广泛研究。为了弥补Ga₂O₃的热导率较差，发表了使用热导率较高的4H-SiC作为异质结构的良好策略。在本文中，探究了使用预处理的Ga₂O₃薄膜和不同肖特基金属的Ga₂O₃肖特基二极管的载流子输运机制和电学特性。使用热发射和热场发射（TFE）模型进行了分析。使用这些模型获得的肖特基势垒高度（SBHs）和理想因子的比较表明，预处理的Ga₂O₃ SBDs中主要的载流子输运机制是TFE。使用电流-电压和电容-电压特性以及X射线光电子能谱确定的SBHs取决于界面质量，类似于不均匀的SBH。在N₂气氛下，经过900℃退火预处理的SBDs的SBHs低于未处理的SBDs。此外，使用Ni作为阳极材料的SBDs的SBHs低于使用Au的SBDs。因此，利用退火预处理和具有较低功函数的阳极金属对于降低肖特基二极管的肖特基势垒高度并改善其电特性具有显著潜力。

原文链接：https://doi.org/10.1088/2053-1591/ace0a4