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【国际论文】用方形纳米孔阵列有效抑制基于β-Ga₂O₃的光电探测器的持久性光导率
日期：2023-09-08阅读：196
近日，由山东大学微电子学院等组成的研究团队在科学期刊《ACS Publications》上发表的名为Efficient Suppression of Persistent Photoconductivity in β-Ga2O3-Based Photodetectors with Square Nanopore Arrays（用方形纳米孔阵列有效抑制基于β-Ga2O3的光电探测器的持久性光导率）的论文文章。
内容摘要
本研究利用聚焦离子束（FIB）在β-Ga2O3微片表面上刻蚀，开发方形纳米孔阵列，并基于具有方形纳米孔阵列的β-Ga2O3微片制备了太阳盲光电探测器（PDs）。通过FIB刻蚀，将基于β-Ga2O3微片的器件从栅电压耗尽模式转变为氧耗尽模式。所开发的器件表现出优异的日盲PD性能，具有极高的响应度（10V下达到1.8×105），检测度（10V下达到3.4×1018 Jones），以及光暗比（5V下达到9.3×108），并且具有良好的重复性和优异的稳定性。随后系统地讨论了导致这种性能的内在机制。本研究通过采用FIB刻蚀工艺为制备高性能的β-Ga2O3基低维PDs开辟了一条具有高可重复性的新途径。
原文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.3c05265
