【国际论文】通过电子束蒸发制备的纳米晶β-Ga₂O₃薄膜用于增强光探测性能

        由印度理工学院等研究机构组成的团队在科学期刊《Applied Physics》 上发表的名为Nanocrystalline β-Ga₂O₃ Thinfilm prepared by electron beam evaporation for enhanced photodetection（通过电子束蒸发制备的纳米晶β-Ga₂O₃薄膜用于增强光探测性能）的论文文章。

内容摘要

        本研究使用电子束蒸发技术在Si衬底上制备β-Ga₂O₃的薄膜（TF）。平均晶粒尺寸约为39.8 nm。β-Ga₂O₃ TF的沉积表面光滑，没有裂纹或凹坑，平均厚度约为375 nm。通过紫外可见吸收测试，确定β-Ga₂O₃ TF的光学带隙约为4.84 eV。通过研究发现，该光电探测器具（PD）有出色的性能，在-1 V偏压下暗电流的表现极低为4.02 × 10^-8 A，高达九倍的IL/ID和极短的上升和下降时间，分别为0.27 s和0.059 s。同时实现了极低的暗电流和快速的响应时间是非常显著的。β-Ga₂O₃ TF PD的出色一致性和可重复性表明在紫外光探测方面具有很大的应用潜力。

原文链接：https://doi.org/10.1088/1361-6463/ace201