【国际论文】新一代β-氧化镓纳米材料：生长和电子器件性能

        近期，由南京林业大学等研究团队在科学期刊《Wiley Online Library》发布了一篇名为New Generation Beta-Gallium Oxide Nanomaterials: Growth and Performances in Electronic Devices（新一代β-氧化镓纳米材料：生长和电子器件性能）的文章。

内容摘要

        在过去的十年里，β-氧化镓（β-Ga₂O₃）成为广泛研究的对象，并迅速发展为超宽禁带半导体材料。一维（1D）β-Ga₂O₃纳米结构相比于块状β-Ga₂O₃具有诸多优势，包括高比表面积、灵敏度和量子限制效应。这些优势有利于发展各种应用，例如具有改善散热效果的功率电子器件、高灵敏度光电探测器和高灵敏度气体传感器。这些纳米结构可以通过自顶向下或自底向上的方法制备，并已应用于各种形状，例如纳米线、纳米带、纳米棒、纳米管或网络，用于不同类型的电子器件。

        本综述总结了1D β-Ga₂O₃纳米结构的最新进展，重点关注其生长方法和机理。具体而言，文章总结了基于蒸汽-液体-固体、蒸汽-固体、溶液-固体和模板机理的1D β-Ga₂O₃生长方法。并回顾了十种不同制备机制的生长技术，总结了相应的应用，例如气体传感器、紫外光探测器、电阻式随机存取存储器（RAM）和光催化剂。本综述通过总结1D β-Ga₂O₃的性质和制备方法，为开发下一代光电或电子产品提供了材料设计策略。

原文链接：https://doi.org/10.1002/adem.202300688