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【国际论文】基于稀土掺杂氧化镓薄膜的可调色发光二极管

日期:2023-09-15阅读:192

        近日,由佐贺大学的研究团队 在科学期刊《ACS Publications》上发表了一篇名为Color-Tunable Light-Emitting Diodes Based on Rare Earth Doped Gallium Oxide Films(基于稀土掺杂氧化镓薄膜的可调色发光二极管)的文章。

内容摘要

        可调色光发射二极管(LEDs)提供了广泛的应用范围,包括增强和虚拟现实显示、室内照明和建筑照明。在可调色LED中实现高效率、高亮度、稳定发射和全色发射是非常理想的。然而,传统的质量转移过程使得实现这一技术变得具有挑战性,因为它们需要从不同的外延晶片中提取红、绿、蓝LED芯片。在这篇文章中,回顾了基于稀土掺杂的宽带隙Ga2O3半导体实现可调色LED的进展。我们系统地研究了通过脉冲激光沉积法生长的稀土(Eu、Er和Tm)掺杂Ga2O3薄膜的结构和光学特性,并观察到Eu、Er和Tm掺杂Ga2O3薄膜分别在红、绿、蓝光谱区域的强烈照射。我们已经展示了基于这些Eu、Er和Tm掺杂的Ga2O3薄膜的红、绿、蓝LED的开发,并使用Eu、Er和Tm共掺杂的Ga2O3薄膜实现了可调色LED。结果证明,稀土掺杂的Ga2O3薄膜在可调色LED应用中具有巨大的潜力。

原文链接:https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00587