【国际论文】NiO/Ga₂O₃ 垂直异质结整流器的退火稳定性

        近日由佛罗里达大学的研究团队在科学期刊《MDPI》上发表了一篇名为Annealing Stability of NiO/Ga₂O₃ Vertical Heterojunction Rectifiers（NiO/Ga₂O₃垂直异质结整流器的退火稳定性）的论文文章。

内容摘要

        团队研究了在两种类型的退火过程中，垂直结构 NiO/ Ga₂O₃ 整流器的稳定性，具体为 (1) 在沉积 Ni/Au 金属阳极堆栈之前对 NiO 进行的退火，以及 (2) 对已完成设备的退火。这些设备在氧气中退火，温度高达500°C，时间为1分钟。结果表明，对两种类型的设备进行300°C的退火可以在最大化击穿电压和开关比例、降低正向导通电压、减小反向漏电流和保持导通电阻方面达到最佳性能。300°C退火后，表面形貌保持平滑，NiO展现了带隙3.84 eV，且Ni₂O₃/NiO的组成几乎为1:1。

图 1. 器件结构（左）和在不同温度下退火后的光学图像（右）

图 2. 采用 (a) 退火氧化镍和 (b) 退火氧化镍/接触金属的器件的正向电流密度和 RON与温度的函数关系

原文链接：https://doi.org/10.3390/cryst13081174