【国际论文】超薄Ga₂O₃纳米线中与尺寸有关的相变

        氧化镓（Ga₂O₃）因其宽带隙、可控掺杂和低成本而引起了广泛关注，被认为是低维度金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）的候选材料。纳米尺度下Ga₂O₃的结构稳定性是设计和构建MOSFET的关键参数，然而目前仍未被探索。通过原位透射电子显微镜，我们揭示了亚2nm Ga₂O₃纳米线的尺寸依赖相变。基于理论计算，我们绘制了从初始的单斜β相到中间的立方γ相再到β相的转变路径，并将其识别为Ga阳离子迁移的序列。为理解纳米尺度下Ga₂O₃的相稳定性提供了基本见解，对于推进宽禁带半导体器件的微型化、轻量化和集成化至关重要。

原文链接：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c01751