【国际论文】喷涂 Ga₂O₃ 薄膜的 XPS 深度剖面研究

        近日由孟加拉国达卡阿萨努拉科技大学在科学期刊《Scientific Research》发表的一篇名为XPS Depth Profile Study of Sprayed Ga₂O₃ Thin Films（喷涂 Ga₂O₃ 薄膜的 XPS 深度剖面研究）的论文文章。

内容摘要

        通过喷雾热解法使用乙酰丙酮酸镓作为源材料和水作为氧化剂，制备了Ga₂O₃薄膜。薄膜在氩气气氛中450°C退火60分钟。为了分析喷涂的初沉积和退火Ga₂O₃薄膜的化学计量比和组成，进行了X射线光电子能谱（XPS）深度剖析研究。发现初沉积和退火薄膜的表层和内层几乎达到了化学计量。