【国际论文】铽掺杂的Ga₂O₃发光薄膜的生长与特性

        近日，由日本佐贺大学的研究团队在科学期刊《Science Direct》发表了一篇名为Growth and characteristics of terbium doped Ga₂O₃ luminescent films（铽掺杂的Ga₂O₃发光薄膜的生长与特性）的论文文章。

内容摘要

        在100到500℃的衬底温度范围内，通过脉冲激光沉积（PLD）方法在蓝宝石衬底上沉积了掺杂铽(Tb)的Ga₂O₃膜。能量散射光谱的结果表明，高温下Tb原子更容易掺入Ga₂O₃。X射线衍射分析显示，在500℃的衬底温度下可以得到（-201）向的单斜铽掺杂的Ga₂O₃薄膜。所有膜在可见光和红外区域都具有超过80％的高透射率。在所有样品的室温（RT）光致发光光谱中，分别观察到486、540、582和622 nm的峰值，分别归因于⁵D₄-⁷F₆、⁵D₄-⁷F₅、⁵D₄-⁷F₄和⁵D₄-⁷F₃之间的跃迁。随着温度从RT降低到60 K，PL光谱中所有跃迁的峰值都没有移位。这些结果表明，Tb掺杂的Ga₂O₃薄膜对于实现全色微尺度发光二极管具有前景。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127361