【国际论文】多级电阻性Al/Ga₂O₃/ITO开关器件及其氧化石墨烯中间层用于神经形态计算

        近期，由台湾成功大学的研究团队在科学期刊《MDPI》发表的一篇名为Multi-Level Resistive Al/Ga₂O₃/ITO Switching Devices with Interlayers of Graphene Oxide for Neuromorphic Computing（多级电阻性Al/Ga₂O₃/ITO开关器件及其氧化石墨烯中间层用于神经形态计算）的论文文章。

内容摘要

        最近，电阻随机存储器（RRAM）已经成为众多新兴非易失性存储器中的杰出候选者，用于高密度存储和内存计算应用。然而，传统的RRAM，根据所施加的电压可以容纳两种状态，无法满足大数据时代的高密度需求。许多研究团队已经证明，RRAM具有实现多级单元的潜力，这将满足与大规模存储相关的需求。在众多的半导体材料中，氧化镓（第四代半导体材料）因其出色的透明材料特性和宽带隙而在光电子学、高功率电阻开关器件等领域得到应用。在这项研究中，我们成功地证明了Al/氧化石墨烯（GO）/Ga₂O₃/ITO RRAM具有实现两位存储的潜力。与其单层对应物相比，双层结构具有出色的电性能和稳定的可靠性。其耐用性特性可以在超过10³的ON/OFF比率下提高到100个开关周期以上。此外，本文还描述了丝状模型，以阐明传输机制。

图 1. 器件横截面的 EDS 图谱。

图 2. (a) 玻璃衬底上 Ga₂O₃ 薄膜的 XRD 结果。(b) 用分光光度计测量的Ga₂O₃带隙。

原文链接：https://doi.org/10.3390/nano13121851