【国际论文】通过MOVPE工艺在 c 平面 Al₂O₃ 上生长异质外延β-Ga₂O₃薄膜的原位光谱反射率研究

        近期，由德国IKZ研究所的团队投稿于电子期刊《SSRN》的一篇名为In-Situ Spectral Reflectance Investigation of Heteroepitaxial Grown β-Ga₂O₃ Thin Films on c-Plane Al₂O₃ Via MOVPE Process（通过 MOVPE 工艺在 c 平面Al₂O₃上生长异质外延β-Ga₂O₃薄膜的原位光谱反射率研究）的文章。

内容摘要

        通过金属有机气相外延法对β-Ga₂O₃/c面Al₂O₃异质结构进行了原位的光谱反射率监测，分析了不同波长下的反射光谱。反射光谱作为生长时间和入射波长的函数进行分析，以估计生长温度下的生长速率和折射率。通过二次离子质谱测量和光谱椭圆偏振法等外部方法验证了所获得的值。通过结合传输矩阵方法和多层模型对反射光谱进行了理论模拟，呈现出与实验结果良好的一致性。

图 1. 薄膜生长过程中在 405 nm、633 nm和 950 nm不同波长下记录的原位瞬态反射率。

图 2. 在 c 平面 Al₂O₃ 上生长的厚度约为 150 nm 的 β-Ga₂O₃ 薄膜的原子力显微镜图像。

原文链接：https://papers.ssrn.com/sol3/papers.cfm?abstract_id=4536091