【国际论文】用于 400C 高温应用的氧化镓异质结二极管

        近日，由美国国家可再生能源实验室的研究团队在科学期刊《Wiley》上发表了一篇名为Gallium Oxide Heterojunction Diodes for 400C High Temperature Applications（用于 400C 高温应用的氧化镓异质结二极管）的文章。

内容摘要

        基于β-Ga₂O₃的半导体器件由于其接近5 eV的超宽带隙，预期将显著提高高功率和高温性能。然而，这些超宽带隙器件的高温运行通常受到与大多数高功函数金属之间的肖特基势垒处相对较低的1-2 eV内置电势的限制。在此，我们提出了用于高温器件应用的异质结构p-NiO/n-β-Ga₂O₃二极管的制备和优化，并展示了在410°C下的电流整流比 (ION/IOFF) 超过10⁶。与在相同的单晶β-Ga₂O₃衬底上制造的基于Ni的肖特基二极管相比，尽管电荷传输受到界面复合主导，NiO异质结构二极管可以实现更高的导通电压 (VON) 和更低的反向漏电流。电气特性和器件建模表明，这些优点是由于更高的内置电势和额外的带隙偏移造成的。这些结果表明，基于β-Ga₂O₃的异质结构p-n二极管可以显著提高高温电子器件和传感器的性能。

原文链接：https://doi.org/10.1002/pssa.202300535