【国际论文】衬底偏压对共烧结(AlxGa₁₋x)₂O₃薄膜结构和光学性质的影响

         近期，由北京石油化工学院等组成的研究团队于科学期刊《Journal of Electronic Materials》 发布了一篇名为Effects of Substrate Bias Voltage on Structural and Optical Properties of Co-Sputtered (Al_xGa_1–x)₂O₃ Films（衬底偏压对共烧结(Al_xGa_1–x)₂O₃薄膜结构和光学性质的影响）的文章。

内容摘要

        通过Al原子掺杂β-Ga₂O₃提供了一种有效的方法来进一步扩大能带间隙，并增强在深紫外区域的检测能力。尽管已经用各种方法制备了掺铝的β-Ga₂O₃膜，但在调整晶体质量以获得优越性质方面仍然存在挑战。在本文中，通过磁控共溅射在不同的偏压下沉积(Al_xGa_1–x)₂O₃ (简称为AGO)膜，并在空气中900°C退火。此外，研究了膜的结晶结构、形貌和光学性质与偏压的依赖性。X射线衍射测量证明，不同偏压的AGO膜在(-201)晶面上表现出优选取向。各种偏压的膜产生了更高的晶体质量，光学带隙约为5.0 eV。此外，AGO膜在UV-Vis波长范围内显示出95%的绝对平均透射率。因此，这种方法为通过偏压控制AGO膜的质量和性质开辟了一种新的途径。

原文链接：https://doi.org/10.1007/s11664-023-10673-7