【国际论文】耗尽型Ga₂O₃ MOSFETs直流I-V特性的紧凑模型

        近期，由西安微电子学院的研究团队在科学期刊《Microelectronics Journal》中发表了一篇名为 A compact model of DC I–V characteristics for depleted Ga₂O₃ MOSFET（耗尽型Ga₂O₃ MOSFETs直流I-V特性的紧凑模型） 的文章。

内容摘要

        在本文中，我们提出了一种新的基于双曲正切函数的行为紧凑模型，该模型精确地再现了耗尽高Ga₂O₃ MOSFET的直流电流-电压(I-V)特性。所提出的模型充分探讨并考虑了n⁺区域与栅极金属之间的间距以及栅极长度缩放对高Ga₂O₃ MOSFET静电性能的影响。通过对仿真和实验所得的I-V曲线进行拟合，验证了模型的有效性，并通过适当调整拟合参数，得到了较好的拟合结果。此外，我们将计算的跨导和输出电导与数值模拟结果进行了比较，并观察到良好的一致性。所提出的模型有望成为涉及耗尽Ga₂O₃ MOSFET的电路设计的宝贵工具。它提供了一种更准确和有效的方法来模拟这些器件的行为，这可以帮助显影新的和创新的电路设计。总体来说，我们的模型对Ga₂O₃ MOSFET研究领域的重大贡献，有可能会促进该技术的不断进步和优化。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.mejo.2023.105920