【国际论文】基于 β-Ga₂O₃/GaN 异质结构的深紫外-可见光高响应自供电光电探测器

        近日，由印度CSIR-国家物理实验室的研究团队在科学期刊《Vacuum》中发表了一篇名为Deep ultraviolet–visible highly responsivity self-powered photodetector based on β-Ga₂O₃/GaN heterostructure（基于 β-Ga₂O₃/GaN 异质结构的深紫外-可见光高响应自供电光电探测器）的文章。

内容摘要

        我们发表了通过热氧化在氮化镓外延薄膜上形成的独特的β-Ga₂O₃纳米级条纹（β-Ga₂O₃-NSS）形态，并制造了基于异质结构的自供电光电探测器（PD），可在230 nm至800 nm（紫外至可见光）宽光谱范围内工作。在零偏压条件下，该器件在 266 nm光照下具有 5.8 × 10³ mAW^-1 的超高响应率。所开发的宽带光电探测器在零偏压条件下，在 355 nm、455 nm和 532 nm的光照下分别表现出 2600、56 和 450 mAW^-1 出色的响应率。此外，该器件还显示出极高的响应率（1.6 × 10⁵ mAW^-1）和较低的噪声等效功率（10^-13 WHz^-1/2），并且在 266 nm波长的 5 V 偏压条件下具有极佳的外部量子效率（10⁴%）。所开发器件的出色性能归功于 β-Ga₂O₃ nm带的光捕获几何结构。该器件结构简单，为制造下一代基于 Ga₂O₃ 的宽带光探测器件开辟了新途径。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2023.112570