【国际论文】通过液态镓靶反应溅射沉积 Ga₂O₃ 薄膜

        近日，由匈牙利布达佩斯能源研究中心在科学期刊《MDPI》中发布了一篇名为Reactive Sputter Deposition of Ga₂O₃ Thin Films Using Liquid Ga Target（通过液态镓靶反应溅射沉积 Ga₂O₃ 薄膜）的论文文章。

摘要

        Ga₂O₃是光电子和半导体行业中的一种有前景的材料。在这项工作中，通过射频 (RF) 溅射技术使用液态镓靶沉积了氧化镓薄膜。采用不同的氧流速率和通过RF功率诱导的直流靶电位进行了反应性溅射。根据制备条件，样品的厚度在160 nm和460 nm之间变化。通过能量散射光谱、X射线光电子光谱和光谱椭圆偏振测量分别研究了层的组成和折射指数。研究发现，通过使用较低的直流靶电位，可以获得更好的膜质量和更高的氧含量。基于Berg模型对反应性溅射进行建模，目的为确定溅射产额和粘附系数。结果显示，直流靶电位的增加导致镓的优先溅射。

图 1. 溅射室内镍容器中的液态镓靶在氧气流速为 12 sccm（a）和 32 sccm（b）时进行溅射后的照片，以及实验装置示意图（c）。

图 2. 射频溅射薄膜的典型 X 射线衍射图；只识别基底的结晶峰。