【国际论文】提高掺杂β-(AlxGa₁−x)₂O₃/Ga₂O₃ 异质结场效应晶体管中二维电子气体密度的设计考虑因素

        近日，由PDPM印度信息技术、设计和制造学院的研究团队在学术平台《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》中发表了一篇名为Design considerations to enhance 2D-Electron gas density in δ-doped β-(Al_xGa_1−x)₂O₃/Ga₂O₃  HFET（提高掺杂 β-(Al_xGa_1−x)₂O₃/Ga₂O₃  异质结场效应晶体管中二维电子气体密度的设计考虑因素）的文章。

内容摘要

        本文提出了一个统一的分析模型，用于评估β-(Al_xGa_1−x)₂O₃/Ga₂O₃ δ掺杂异质结场效应晶体管中的2D电子气密度。接下来，利用得到的统一模型研究了间隔层厚度、导带偏移和δ掺杂密度对2D电子密度的影响。该研究显示了薄的间隔层在增强β-(Al_xGa_1−x)₂O₃/Ga₂O₃异质界面获得的2D电子密度方面的功效。此观测与使用1D Poisson-Schrodinger解算程序获得的模拟结果一致，该解算程序可以使用导带能量图解释该行为。同样，高导带偏移有利于更高的2D电子密度，并消除了并行导电。当前的研究还显示了δ掺杂层在控制并行导电现象开始方面的作用。因此，所提出的全面研究对于设备设计师来说是必不可少的，以增强异质界面上的2D电子密度，这对于实现最佳漏电流至关重要。

原文链接：https://doi.org/10.1007/s10854-023-11162-7