【国际论文】基于Ar的RIE对氧化镓场效应晶体管中欧姆接触的影响

        近期，由印度CSIR-Central电子工程研究所的研究团队在科学期刊《Physica Status Solidi (a)》中刊登了一篇名为Effect of Ar based RIE on the ohmic contacts in Gallium Oxide FET（基于Ar的RIE对氧化镓场效应晶体管中欧姆接触的影响）的文章。

内容摘要

        在这项研究中，我们研究了超宽带隙半导体β-氧化镓（β−Ga₂O₃）在蓝宝石（-201方向）上的欧姆接触改进，这是通过基于氩（Ar）的反应性离子刻蚀（RIE）来实现的。此外，还研究了在(-201方向）氧化镓样品上的接触点退火后的效果。由Ar刻蚀产生的表面缺陷和氧空位导致了与Ti/Au金属叠层形成的沉积欧姆接触。在金属化之前经过10分钟的Ar RIE，接触电阻达到了10.52Ω·mm，具体的接触电阻率为2.24×10⁻⁴Ω·cm²。然而，当样品经过退火后处理后，接触电阻会进一步降低。经过退火后的样品的电学测量和能量散射X射线光谱（EDX）元素映射显示，这是由于形成了作为绝缘体的氧化钛（TiO_x）化合物，同时伴随着Ga的外扩散和金的内扩散。这些结果表明了氧化镓在不同退火温度下的各向异性的影响。这些结果和技术可能为氧化镓基高电压和高功率应用中更好的欧姆接触铺平道路。

原文链接：https://doi.org/10.1002/pssa.202200722